中国钨业

2020, v.35;No.277(03) 48-55

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半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用研究进展
Research Progress in Preparation and Application of Tungsten Silicide Films for Semiconductor

李保强;陈金;刘文迪;黄志民;李秋红;

摘要(Abstract):

钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用。本文归纳了半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用方面的研究进展,首先分别对物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)制备钨硅薄膜的方法进行介绍,并分析了各种制备工艺的优缺点,并进一步对钨硅薄膜在半导体中的主要应用场景进行了介绍。最后分析了钨硅薄膜的未来发展前景,认为随着半导体产业的不断发展及钨硅薄膜应用的持续拓宽,钨硅薄膜的重要性将会进一步显现,钨硅薄膜的制备技术必将获得进一步的提升。

关键词(KeyWords): 半导体;钨硅薄膜;物理气相沉积;化学气相沉积;应用现状

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家重点研发计划项目(2017YFB0305603)

作者(Author): 李保强;陈金;刘文迪;黄志民;李秋红;

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